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J-GLOBAL ID：201802226200855562   整理番号：18A0632238

酸素欠陥を導入したTa₂O_5-δ抵抗変化型多値メモリ特性の検討

著者 (8件)： LI Y. (北大 大学院) ,  勝村玲音 (北大 大学院) ,  GROENROOS Mika Kristian (北大 大学院) ,  福地厚 (北大 大学院) ,  有田正志 (北大 大学院) ,  安藤秀幸 (九州工大) ,  森江隆 (九州工大) ,  高橋庸夫 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-G203-10  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： RAM【メモリ】 ,  *酸化タンタル ,  不揮発性メモリ ,  *ゲート絶縁膜 ,  特性 ,  電流電圧特性 ,  RFスパッタリング ,  スイッチング特性 ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： *ReRAM ,  ゲート酸化膜 ,  多値メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸素欠陥 ,  抵抗変化 ,  多値