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J-GLOBAL ID：201802226767042761   整理番号：18A0649508

高In成分InGaNAs/GaAs量子井戸の成長と発光特性【JST・京大機械翻訳】

Growth and Photoluminescence Characteristics of InGaNAs/GaAs QW with High In Composition

著者 (5件)： Dan Rui (云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500) ,  Zhou Haichun (云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500) ,  Hao Ruiting (云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500) ,  Ou Quanhong (云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500) ,  Guo Jie (云南省光電信息技術重点実験室,云南 昆明 650500;云南師范大学 物理与電子信息学院,云南 昆明 650500)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 11  ページ： 1510-1515  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高いIn組成(>40%)InGaNAs/GaAs量子井戸材料を,分子ビームエピタクシー(MBE)によりGaAs基板上にエピタキシャル成長させ,1.3~1.55μmの波長範囲で動作させた。室温での光ルミネセンス(PL)分光法により,N原子の成長機構とInGaNAs/GaAs量子井戸の成長特性を調べた。結果は以下を示した。N成分の増加は多くの非放射複合中心を導入する。成長温度が480°Cから580°Cに上昇すると,Nモル分率は2%から0.2%に急速に低下した。N成分は,In成分とAsの圧力によってほとんど影響を受けず,接着係数は1に近かった。成長温度が410°C、V/IIIのビーム比が25の時、In0.4Ga0.6N0.01As0.99/GaAs量子井戸のPL発光強度が最大で、欠陥と転位が最も少ない。高い成長速度は短い表面遷移長さと良好な結晶品質を得ることができる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高速度 ,  *ヒ化ガリウム ,  光ルミネセンス ,  接着 ,  *量子井戸 ,  モル分率 ,  MBE成長 ,  *インジウム ,  成長速度 ,  *ヒ素
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  発光強度 ,  窒素原子 ,  GaAs基板 ,  *発光特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaNAs ,  quantum well ,  molecular beam epitaxy ,  photoluminescence

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  量子井戸 ,  成長 ,  発光特性