150mm 4H SiC基板結晶品質の最適化【JST・京大機械翻訳】

文献

J-GLOBAL ID：201802226839946489 整理番号：18A2042169

Optimization of 150 mm 4H SiC Substrate Crystal Quality

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著者 (8件)：

Manning Ian

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(Dow Corning Corporation, Semiconductor Solutions; P.O. Box 994, Midland, USA, MI 48686)

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Chung Gil Yong

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Sanchez Edward

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Yang Yu

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(Stony Brook University; USA, NY 11794-2275)