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J-GLOBAL ID：201802226939402377   整理番号：18A0445027

経時的温度ジャンプと結合したDPLモデルに基づくナノトランジスタにおけるフォノン温度の熱分析【Powered by NICT】

Thermal analysis of phonon temperature in nano transistor based on DPL model coupled with temporal temperature jump

著者 (2件)： Nasri Faouzi (Research and Technology Centre of Energy, Laboratory of thermal process, Hammam Lif 2050, Tunisia) ,  Aissa Mohamed Fadhel Ben (Research and Technology Centre of Energy, Laboratory of thermal process, Hammam Lif 2050, Tunisia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEMIS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノMOSFETとトライゲートSOI MOSFETにおける過渡ナノ熱伝導と熱解析のための新しいアプローチを報告した。過渡ナノ熱伝導は二次温度ジャンプ境界条件と結合したDPL方程式によって与えられた電気-熱モデルを用いて調べた。本研究におけるJoule効果により熱源するためにチャネル領域で一定であった。有限要素法生み出す結果に用いた。は提案したモデルはナノMOSFETとトライゲートSOI MOSFETにおけるフォノン輸送とフォノン温度を予測できることを見出した。さらに,トライゲートSOI MOSFETは古典的MOSFETに比べて熱的に効率的であることが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 有限要素法 ,  熱伝導 ,  熱源 ,  境界条件 ,  *フォノン ,  MOSFET ,  *熱分析
準シソーラス用語： フォノン輸送 ,  熱モデル ,  熱シミュレーション ,  トライゲート ,  *ナノトランジスタ ,  *温度ジャンプ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  熱伝導  (PA02020Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 経時 ,  温度ジャンプ ,  モデル ,  ナノトランジスタ ,  フォノン ,  熱分析