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J-GLOBAL ID：201802227036472616   整理番号：18A1191896

数層GeAs電界効果トランジスタと赤外光検出器【JST・京大機械翻訳】

Few-Layer GeAs Field-Effect Transistors and Infrared Photodetectors

著者 (14件)： Guo Jian (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Liu Yuan (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Ma Yue (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Zhu Enbo (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Lee Shannon (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Lee Shannon (Department of Chemistry, Iowa State University, and Ames Laboratory, Ames, IA, 50011, USA) ,  Lu Zixuan (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Zhao Zipeng (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Xu Changhao (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Lee Sung-Joon (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Wu Hao (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Kovnir Kirill (Department of Chemistry, Iowa State University, and Ames Laboratory, Ames, IA, 50011, USA) ,  Huang Yu (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Duan Xiangfeng (Department of Chemistry and Biochemistry, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 21  ページ： e1705934  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D半導体(2DSCs)のファミリーは,グラフェンの最初の分離以来急速に成長した。各2DSC材料の出現は,その独特の電気的,光学的および機械的性質に対するかなりの励起をもたらし,それらはしばしばそれらの3D対応物とは非常に異なっている。今日まで,2DSCの研究はグループIV(例えば,グラフェン,シリセン),グループV(例えばホスホレン),またはグループVIB化合物(遷移金属ジカルコゲニド,TMD)に焦点を当てており,新しい2DSCsの探索にかなりの努力をもたらしている。ここでは,IV-V族化合物の最初の電気的特性化を,少数層GeAs電界効果トランジスタを調べることにより示した。バックゲートデバイス構造で,p型挙動が室温で観察された。重要なことに,正孔キャリア移動度は10~5以上のON-OFF比で100cm~2V~-1s-1に近づくことが分かり,最先端のTMD素子に匹敵する。独特の結晶構造により,少数層GeAsは高度に異方的な光学的及び電子的性質(異方性移動度比4.8)を示した。さらに,GeAsベースのトランジスタは,6AW-1の光応答性と約3msの立ち上がり時間を有する1.6μmの放射に対して顕著で急速な光応答を示した。IV-V2DSC材料の本研究は,2Dファミリーを大きく拡大し,2DSCsに基づく機能性エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスにおける新しい機会を可能にする。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： グラフェン ,  異方性 ,  素子構造 ,  *トランジスタ ,  高速度 ,  キャリア移動度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  二次元 ,  三次元 ,  オプトエレクトロニクス ,  電子技術 ,  正孔 ,  半導体
準シソーラス用語： 光応答 ,  シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D半導体 ,  数層 ,  電界効果トランジスタ ,  GEAS ,  赤外光検出器

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界効果トランジスタ ,  赤外光 ,  検出器