文献

J-GLOBAL ID：201802227179711801   整理番号：18A1309265

窒素関連欠陥を含むTiO_2スケールにおける表面電位とヒドロキシアパタイト形成の制御【JST・京大機械翻訳】

Control of surface potential and hydroxyapatite formation on TiO₂ scales containing nitrogen-related defects

著者 (8件)： Hashimoto Masami (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, 456-8587, Japan) ,  Ogawa Takafumi (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, 456-8587, Japan) ,  Kitaoka Satoshi (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, 456-8587, Japan) ,  Muto Shunsuke (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Furuya Maiko (Graduate School of Dentistry, Tohoku University, 4-1 Seiryo-machi, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8575, Japan) ,  Kanetaka Hiroyasu (Graduate School of Dentistry, Tohoku University, 4-1 Seiryo-machi, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8575, Japan) ,  Abe Masayuki (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka, 560-8531, Japan) ,  Yamashita Hayato (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka, 560-8531, Japan)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 155  ページ： 379-385  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ti上に形成されたルチル型TiO_2スケールのヒドロキシアパタイト(HAp)形成能と関連表面電位は,微量のO_2を含むN_2雰囲気中のTi熱処理条件を変えることによって制御される。873および973Kで1時間加熱した試料のゼータ電位はそれぞれ大きな負および正の値であり,表面上のHAp形成は両方の場合に増強された。これらの温度でのより長い熱処理では,HAp形成能は減少し,ゼータ電位はより中性になる。Kelvinプローブ力顕微鏡法は,乾燥条件下で,1時間で873と973Kで形成されたTiO_2スケール上の表面電荷が,湿潤条件下で測定されたゼータ電位の兆候と反対に,それぞれ正と負であることを示した。走査透過型電子顕微鏡,電子エネルギー損失分光法および欠陥形成エネルギーの計算から,スケール形成中にTiO_2中に取り込まれた窒素原子が,873および973Kで1時間で形成されたスケールに対して,それぞれ帯電欠陥(NO)O-1および(N2)O+2を生成することが明らかになった。より長い処理の場合には,窒素関連欠陥はボイド中のN_2ガスのようなより安定な状態に変化し,中性表面をもたらす。本知見は,窒素関連欠陥,荷電表面,およびHAp形成機構の間の関係を解明する表面電荷分布の物理的モデルを導く。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  湿潤 ,  *ヒドロキシアパタイト ,  ζ電位 ,  熱処理条件 ,  *表面電位 ,  電荷分布 ,  ルチル ,  *チタン ,  表面電荷 ,  第一原理 ,  モデル ,  中性
準シソーラス用語： 形成機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： TiO_2 ,  窒素関連欠陥 ,  表面電位 ,  ヒドロキシアパタイト ,  第一原理解析

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素 ,  欠陥 ,  スケール ,  表面電位 ,  ヒドロキシアパタイト