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J-GLOBAL ID：201802227268864175   整理番号：18A2111882

マグネトロンスパッタリングにより作製したトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3薄膜の形態と電気輸送特性に及ぼすスパッタリングパワーと圧力の影響【JST・京大機械翻訳】

The effect of sputtering power and pressure on the morphology and electrical transport properties of topological insulator Bi₂Se₃ thin films prepared by magnetron sputtering

著者 (7件)： Zhang J. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China) ,  Jin R. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China) ,  Liu Q. Y. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China) ,  Zhao T. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China) ,  Zhao K. (School of Physical Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China) ,  Yang X. S. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China) ,  Zhao Y. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China)
資料名： International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics  (International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)
巻： 32  号： 16  ページ： 1850195  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0396A  ISSN： 0217-9792  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜のエピタキシャル成長は,トポロジカル絶縁体(TI)Bi_2Se_3に対するバルクキャリアの寄与を最小化する有効な方法である。調製過程で使用されるパラメータは,特にTI膜に対して高品質薄膜を成長させるための重要な因子である。本論文では,Si(100)基板上にBi_2Se_3薄膜を成長させるためにマグネトロンスパッタリングを用いた。異なる作動圧力とスパッタリングパワーを調べた。比較的低い圧力と低いパワーの下で高品質の膜を得ることができた。線形及び非飽和高磁場線形磁気抵抗(LMR)を高品質膜で観測した。Copyright 2018 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 線形性 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  *スパッタリング ,  強磁場 ,  *薄膜 ,  *薄膜成長 ,  磁気抵抗 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： シリコン(100) ,  高品質 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： トポロジカル絶縁体 ,  圧力 ,  スパッタリングパワー ,  電気輸送特性

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (8件)： マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  トポロジカル絶縁体 ,  薄膜 ,  形態 ,  電気輸送 ,  スパッタリング ,  パワー