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J-GLOBAL ID：201802227524657127   整理番号：18A1784188

高品質還元酸化グラフェンの環境条件生産【JST・京大機械翻訳】

Ambient Condition Production of High Quality Reduced Graphene Oxide

著者 (13件)： Evlashin Stanislav A. (Center for Design, Manufacturing and Materials, Skolkovo Institute of Science and Technology, 143026, Moscow, Russia) ,  Svyakhovskiy Sergey E. (Department of Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia) ,  Fedorov Fedor S. (Center for Photonics and Quantum Materials, Skolkovo Institute of Science and Technology, 143026, Moscow, Russia) ,  Mankelevich Yuri A. (D. V. Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia) ,  Dyakonov Pavel V. (D. V. Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia) ,  Minaev Nikita V. (Institute of Photonic Technologies, Research center “Crystallography and Photonics”, RAS, 142190, Troitsk, Moscow, Russia) ,  Dagesyan Sarkis A. (Department of Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia) ,  Maslakov Konstantin I. (Department of Chemistry, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia) ,  Khmelnitsky Roman A. (P. N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, 119991, Moscow, Russia) ,  Suetin Nikolay V. (D. V. Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, M. V. Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia) ,  Akhatov Iskander S. (Center for Design, Manufacturing and Materials, Skolkovo Institute of Science and Technology, 143026, Moscow, Russia) ,  Nasibulin Albert G. (Center for Photonics and Quantum Materials, Skolkovo Institute of Science and Technology, 143026, Moscow, Russia) ,  Nasibulin Albert G. (Department of Applied Physics, Aalto University, School of Science, P.O. Box 15100, FI-00076, Espoo, Finland)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 5  号： 18  ページ： e1800737  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化グラフェン(GO)の還元は,種々の光学,電子,およびセンサ素子における応用のための最も一般的な材料の一つになっている。還元グラフェン酸化物合成に関する多くの方法が既に報告されているが,それらは通常,それらの効率,品質および環境影響に関連する問題を提起している。本研究は,ナノ秒赤外レーザ照射を用いて,環境条件下で酸化グラフェンを還元するための簡単で,環境に優しく,効果的な方法を実証した。結果として,4.59のI(G)/I(D)のRamanバンド強度比を約90nmの平均結晶子サイズで達成した。このグラフェンは,ほとんどの既存の方法で達成できるものより高い品質である。さらに,実証された還元技術は,酸化グラフェンの選択的還元を可能にし,材料の表面上の官能基の量を制御する。提案した技術に従って作製したガスセンサは,10ppmまでの感度でNO_2,NH_3,およびH_2Sを効率的に検出した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *還元 ,  赤外レーザ ,  レーザ ,  *品質 ,  ナノ秒 ,  ガスセンサ ,  環境影響 ,  結晶粒径 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 官能基 ,  *環境条件 ,  *高品質 ,  センサデバイス ,  *酸化グラフェン ,  *還元型酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ガスセンサ ,  酸化グラフェンの還元 ,  レーザ還元

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高品質 ,  還元酸化グラフェン ,  環境条件