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J-GLOBAL ID：201802227680627383   整理番号：18A2167773

中空円筒ターゲットを用いた反応性マグネトロンスパッタリングによるZrON薄膜の堆積【JST・京大機械翻訳】

Deposition of ZrON thin films by reactive magnetron sputtering using a hollow cylindrical target

著者 (8件)： Iwata Hiroshi (Department of Physics, Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Ishii Hiroki (Department of Physics, Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Kato Daiki (Department of Physics, Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Kawashima Shohei (Department of Physics, Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Kodama Kakeru (Department of Physics, Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Furusawa Masashi (Department of Physics, Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Tanaka Masatoshi (Department of Physics, Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Sekiya Takao (Department of Physics, Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 36  号： 6  ページ： 061509-061509-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Zrターゲットを持つ中空円筒陰極を用いた反応性スパッタリングにより石英ガラスとガラス状炭素基板上にZrON膜を調製した。陰極シリンダにおいて,プラズマ密度はシリンダの軸中心からの横方向距離の増加とともに増加したが,シリンダからの横方向距離の増加とともに減少した。膜堆積中の基板への損傷を,スパッタリング前後のローダミンB膜の透過スペクトルにより評価した。膜堆積を,種々のO_2流量を有するArおよびN_2ガス流中で行い,一方,セラミックヒーターを用いて基板を加熱した。走査電子顕微鏡観察は膜の均一な厚さを示した。X線回折測定は,ZrON膜が結晶性ZrN,Zr_2ON_2,Zr_7O_8N_4,およびZrO_2相の混合物であることを示した。膜中のこれらの結晶相の割合はO_2流量に依存した。X線光電子放出分光測定とその分析は,Zr_2ON_2とZr_7O_8N_4のような膜中の析出したZrON結晶に対応するZr 3d二重項の結合エネルギーが酸素流量の増加と共に増加することを明らかにした。電気化学的測定により,0.6sccmのO_2流量で堆積した膜は0.51V(対標準水素電極,-5μA/cm2)の最大酸化還元電位を有することを明らかにした。膜中に析出したZr_7O_8N_4結晶は高い酸化還元電位の達成に重要な役割を果たしている。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  流量 ,  X線回折分析 ,  結晶 ,  カソード ,  X線 ,  アルゴン ,  基板 ,  X線回折 ,  気体流 ,  シリンダ ,  結合エネルギー ,  結晶度 ,  石英ガラス ,  酸化還元電位 ,  スペクトロスコピー

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中空円筒 ,  ターゲット ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  薄膜 ,  堆積