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J-GLOBAL ID：201802227705990263   整理番号：18A0712019

マグネトロンスパッタリングにより作製したCu-Ta膜の電気的および熱的性質【JST・京大機械翻訳】

Electrical and thermal properties of Cu-Ta films prepared by magnetron sputtering

著者 (7件)： Qin Wen (College of Material Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Fu Licai (College of Material Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Zhu Jiajun (College of Material Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Yang Wulin (College of Material Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Sang Jianquan (College of Material Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Li Deyi (College of Material Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Zhou Lingping (College of Material Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 443  ページ： 97-102  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタ蒸着したCu-Ta膜の微細構造,電気抵抗率および熱伝導率をTa含有量の関数として調べた。結果は,非晶質相が20at.%と60at.%Taの間で形成され,この範囲のα-Cu(Ta)とβ-Ta(Cu)固溶体が形成されたことを示した。格子歪とβ-Ta構造は電子散乱の確率を著しく増加させることができるので,Cu-Ta膜の電気抵抗率はTa含有量の増加によりN′型変化を示し,屈曲点はそれぞれ50at%Taと60at%Taで現れた。熱伝導率も金属膜中の電子によって支配されるので,Cu-Ta膜の熱伝導率には逆の変化傾向が見られた。著者らの知る限り,これはCu-Ta薄膜の熱伝導率を測定するのに初めてである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  電子散乱 ,  熱伝導率 ,  格子歪 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  固溶体 ,  *タンタル ,  *熱特性 ,  金属薄膜 ,  電気抵抗率 ,  微細構造

著者キーワード (4件)： Cu-Ta膜 ,  電気抵抗率 ,  熱伝導率 ,  マグネトロンスパッタリング

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  Cu ,  Ta膜 ,  熱的性質