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J-GLOBAL ID：201802227806860220   整理番号：18A1597967

FETベースのサブテラヘルツ検出器の応答性のオンウエハ測定【JST・京大機械翻訳】

On-wafer Measurements of Responsivity of FET-based subTHz Detectors

著者 (7件)： Kopyt P. (Inst. of Radioelectronics and Mult. Techn., ul. Nowowiejska 15/19, Warsaw, 00-665, Poland) ,  Salski B. (Inst. of Radioelectronics and Mult. Techn., ul. Nowowiejska 15/19, Warsaw, 00-665, Poland) ,  Zagrajek P. (Institute of Optoelectronics, Warsaw Military University, ul. W. Urbanowicza 2, Warsaw, 00-908, Poland) ,  Bauwens M. (Dominion Microprobes, Inc., P.O. Box 4811, Charlottesville, VA, 22905, USA) ,  Obrebski D. (Institute of Electron Technology, al. Lotniko ́w 32/46, Warsaw, 02-668, Poland) ,  Marczewski J. (Institute of Electron Technology, al. Lotniko ́w 32/46, Warsaw, 02-668, Poland) ,  Barker N. S. (University of Virginia, Charlottesville, VA, 22904-1000, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IMS  ページ： 946-948  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,裸のアンテナなしの検出装置を直接給電するために,オンウエハプローブを用いたFETベースのサブTHz検出器の応答性を測定するための新しいアプローチについて述べた。したがって,このアプローチは,検出器の有効開口を事前に知る必要がなく,これは,文献でしばしば引用される様々なFETベース検出器の応答性測定間の大きな変動の源となり得る。提案した方法は,種々のデバイス(例えば,MOSFET,HEMTなど)の応答性を直接比較するのに有用であると思われる。実証として,3つの異なるプロセスを用いて作製したFETデバイスのサブTHz応答性をWR-3バンドで測定した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MOSFET ,  HEMT ,  *検出器 ,  プローブ ,  アンテナ ,  電力供給 ,  *応答特性 ,  開口
準シソーラス用語： *サブテラヘルツ波 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： FET ,  サブテラヘルツ ,  検出器 ,  応答性