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J-GLOBAL ID：201802227942345324   整理番号：18A1895672

調整可能な側壁犠牲層を持つ超低作動電圧MEMSスイッチ【JST・京大機械翻訳】

Ultra-low actuation voltage MEMS switch with tunable side wall sacrificial layer

著者 (2件)： Kumar Sushil (Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi, 110016, India) ,  Singh Pushpapraj (Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi, 110016, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： INDICON  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,可変同調側壁犠牲層を持つ静電駆動低プルイン電圧容量MEMSスイッチを提案した。側壁上の同調性と制御は,提案したスイッチにおいて,より低い作動電圧を得るために,二重エアギャップ(goとgs)構造を構築する。電気機械シミュレーションを用いて,以前に知られているスイッチの形状を設計し,それらの電気的および動的特性を分類した。シミュレーション結果は~2.1Vの範囲で非常に低いプルイン電圧を示した。誘電体層として窒化ケイ素を有する高抵抗シリコン基板上にMEMSスイッチを作製するために,CMOS互換性表面マイクロマシニングプロセスを採用した。最後に,本論文は,低電圧応用ブリッジ設計のための適切で最適化されたパラメータセットを提示した。提案した金属ベーススイッチは,ホットスイッチング能力を有する種々の超低電力応用に利用できる可能性がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気機械 ,  最適化 ,  *電圧 ,  CMOS ,  互換性 ,  窒化ケイ素 ,  *スイッチ ,  誘電体 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 超低消費電力 ,  低電圧 ,  プルイン電圧 ,  静電駆動 ,  *MEMSスイッチ ,  *犠牲層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 側壁 ,  犠牲層 ,  MEMSスイッチ