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J-GLOBAL ID：201802228000069315   整理番号：18A2167766

フッ素化プラズマに対する焼結SiCの耐食性【JST・京大機械翻訳】

Corrosion resistance of sintered SiC against fluorinated plasmas

著者 (4件)： Goto Tetsuya (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Miyahara Michito (Hokuriku Seikei Industrial, Co., Ltd., Ishikawa 923-0157, Japan) ,  Sasaki Masaru (Hokuriku Seikei Industrial, Co., Ltd., Ishikawa 923-0157, Japan) ,  Sugawa Shigetoshi (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 36  号： 6  ページ： 061404-061404-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 焼結法により作製したα-SiCを,プラズマプロセスチャンバで用いられる種々の機能性成分に対する化学蒸着により作製した広く使用されているβ-SiCの代替として開発した。焼結法を適用することにより,化学蒸着と比較して,より大きくて厚いSiC成分を実際に作製できる。2つの焼結添加剤,Y_2O_3-Al_2O_3とB_4Cを焼結過程で使用し,SF_6/ArプラズマとCF_4/O_2/Arプラズマを含むフッ素化プラズマに対する焼結SiCのエッチング安定性を研究した。Y_2O_3-Al_2O_3添加物を有する焼結SiCに対して,エッチング速度は化学蒸着SiCのそれより小さく,主にYとAlの不揮発性フッ化物および/または酸化物が表面に残留し,保護層として役立った。焼結SiCに対して,プラズマ照射後のB_4C添加物,エッチング速度,および表面構造は,化学蒸着SiCの場合と類似していた。結果は,B_4C添加剤は,BとCのフッ化物が揮発性であるので,エッチング安定性にほとんど影響を及ぼさず,Y_2O_3-Al_2O_3添加物の場合とは反対に,残留物は形成されないことを示唆した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *焼結 ,  フッ化物 ,  表面構造 ,  *炭化ケイ素 ,  酸化物 ,  *フッ素化 ,  揮発性 ,  アルミニウム ,  *耐食性 ,  化学蒸着 ,  *プラズマ ,  プラズマ曝露 ,  エッチング
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  チャンバ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： フッ素化 ,  プラズマ ,  焼結 ,  SiC ,  耐食性