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J-GLOBAL ID：201802228116066242   整理番号：18A1777154

(411)A InP基板上に成長させたInGaAs/InAlAs量子カスケードレーザにおける界面粗さ散乱の低減【JST・京大機械翻訳】

Reduced interface roughness scattering in InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers grown on (411)A InP substrates

著者 (7件)： Semtsiv M. P. (Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany) ,  Kurlov S. S. (Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany) ,  Alcer D. (Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany) ,  Matsuoka Y. (Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany) ,  Kischkat J.-F. (Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany) ,  Bierwagen O. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Masselink W. T. (Department of Physics, Humboldt University Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 12  ページ： 121110-121110-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 格子整合InGaAs-InAlAs量子カスケードレーザを作製し,(411)A InP基板と(100)InP基板の間の差を比較した。(411)A基板上に成長させたレーザは,(100)基板上の他の同じ構造と比較して,より高い利得,より低い閾値電流密度,より高いスロープ効率,および2倍の電力効率を示した。この性能改善は,(411)A構造のヘテロ界面における界面粗さ散乱が少ないことに起因する。より低い界面粗さ散乱は,(411)A表面上の高空間周波数ステップから生じると思われる。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *基板 ,  *散乱 ,  *レーザ ,  *リン化インジウム ,  空間周波数 ,  利得 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  電力効率 ,  格子整合 ,  *量子カスケードレーザ
準シソーラス用語： スロープ効率 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム ,  ヘテロ界面 ,  *界面粗さ ,  しきい値電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： InP ,  成長 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  量子カスケードレーザ ,  界面粗さ ,  散乱