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J-GLOBAL ID：201802228171731446   整理番号：18A0956418

特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術

Crystal Growth Technology of N-polar Nitride Semiconductors by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (5件)： 谷川智之 (東北大 金属材料研) ,  PRASERTSUK Kiattiwut (東北大 金属材料研) ,  木村健司 (東北大 金属材料研) ,  窪谷茂幸 (東北大 金属材料研) ,  松岡隆志 (東北大 金属材料研)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 45  号： 1  ページ： ROMBUNNO.45-1-01  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： N極性III-窒化物物質はInGaNベース光デバイスとAlGaNベース電子デバイスへの応用において注目されて来た。III-窒化物ベース素子構造の大部分は有機金属気相エピタシーを用いて成長された。本報告では有機金属気相エピタシーを用いるN極性III-窒化物物質の結晶成長技術の最近の進歩をレビューした。N極性物質の成長はGa極性物質のそれとは異なる挙動を示し,成長条件のいくつかの最適化が必要である。N極性GaNは表面にヒロック構造を示す。微斜面基板の利用はヒロック形成の抑制に役立つ。InGaN成長ではしばしば閃亜鉛鉱結晶相が混入する。低過飽和条件は純なウルツアイトInGaN膜を得る解決策の一つである。N極性GaN上のAlGaN成長中のヒロック形成を防止するためには,成長速度を下げることは有効である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  *極性 ,  結晶方位 ,  *窒化ガリウム ,  *基板 ,  サファイア ,  光反射 ,  その場観察 ,  核形成 ,  熱処理 ,  HEMT ,  高温 ,  窒化 ,  *表面処理 ,  *微斜面 ,  添加物効果 ,  バッファ層 ,  膜厚 ,  転位密度 ,  平坦性 ,  螺旋転位 ,  刃状転位 ,  不純物 ,  酸素 ,  複合欠陥 ,  インジウム化合物 ,  発光ダイオード ,  多重量子井戸 ,  *表面欠陥 ,  過飽和 ,  成長速度
準シソーラス用語： *N極性 ,  微傾斜面 ,  サーファクタント効果 ,  貫通転位密度 ,  *ヒロック欠陥

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 結晶 ,  科学 ,  結晶成長 ,  物性 ,  相関 ,  有機金属気相成長法 ,  極性 ,  窒化物半導体 ,  成長