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J-GLOBAL ID：201802228186381314   整理番号：18A2042270

紫外光によるn型4H-SiC MOSキャパシタの界面近傍電子および正孔トラップにおけるNO不動態化に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on NO Passivation on the Near Interface Electron and Hole Traps of n-Type 4H-SiC MOS Capacitors by Ultraviolet Light

著者 (6件)： Jia Yi Fan ( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071) ,  Lv Hong Liang ( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071) ,  Tang Xiao Yan ( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071) ,  Song Qing Wen ( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071) ,  Zhang Yi Men ( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071) ,  Zhang Yu Ming ( Xidian University, School of Microelectronics; Xi’an, China, 710071)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 449-452  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一酸化窒素(NO)不動態化の有無によるn型4H-SiC MOSキャパシタにおける界面近傍電子と正孔トラップの特性を系統的に調べた。二方向性容量-電圧(C-V)のヒステリシスと紫外線(UVL)照射の有無によるバイアス応力(BS)によって引き起こされるフラットバンド電圧(V_fb)のシフトを用いて,近界面電子トラップ(NIET)と界面近傍正孔トラップ(NIHT)の影響を研究した。Arアニールプロセスと比較して,NO不動態化はNIETの密度を効果的に減少させることができるが,SiC MOSデバイスにおいて過剰のNIHTを誘導することができる。より悪いのは,トラップされた正孔の一部がNOアニール試料中のNIHTから容易に放出されないことである。これは正の固定電荷として作用し,しきい値電圧の負のシフトを誘起する可能性がある。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  一酸化窒素 ,  *正孔 ,  バイアス ,  ヒステリシス ,  焼なまし ,  *界面 ,  *不動態化 ,  *炭化ケイ素 ,  *コンデンサ
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  固定電荷 ,  フラットバンド電圧 ,  *正孔トラップ ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 不動態化 ,  4H-SiC MOSキャパシタ ,  界面近傍電子トラップ ,  界面近傍の正孔トラップ

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 紫外光 ,  4H-SiC ,  MOSキャパシタ ,  界面近傍 ,  電子 ,  正孔トラップ ,  NO ,  不動態化 ,  研究