文献

J-GLOBAL ID：201802228639912258   整理番号：18A1351618

二層MOS_2電界効果トランジスタにおける非対称Schottky接触【JST・京大機械翻訳】

Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS₂ Field Effect Transistors

著者 (12件)： Di Bartolomeo Antonio (Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy) ,  Grillo Alessandro (Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy) ,  Urban Francesca (Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy) ,  Iemmo Laura (Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy) ,  Giubileo Filippo (CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy) ,  Luongo Giuseppe (Physics Department, University of Salerno, and CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, 84084, Fisciano, Salerno, Italy) ,  Amato Giampiero (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica, INRIM-Strada delle Cacce, 10135, Torino, Italy) ,  Croin Luca (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica, INRIM-Strada delle Cacce, 10135, Torino, Italy) ,  Sun Linfeng (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Liang Shi-Jun (Engineering Product Development (EPD), Singapore University of Technology and Design (SUTD), Singapore, 487372, Singapore) ,  Liang Shi-Jun (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Ang Lay Kee (Engineering Product Development (EPD), Singapore University of Technology and Design (SUTD), Singapore, 487372, Singapore)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 28  号： 28  ページ： e1800657  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着合成した二層MoS_2チャネルとTi Schottky接触を持つバックゲート電界効果トランジスタの高バイアス電気特性を論じた。MoS_2上の酸化Ti接触は約0.3~0.5eVのSchottky障壁高さをもつ整流接合を形成することが分かった。トランジスタの整流出力特性を説明するために,最大電流が電気的に強制された接合における画像力障壁低下から生じる二つのわずかに非対称なバックツーバックSchottky障壁に基づくモデルを提案した。一方,逆電流は接地接合におけるSchottky障壁制限注入に起因した。この素子は,5mWcm-2白色LED光下で2.5AW-1以上の光応答性を達成した。2-および4-プローブ測定を比較することによって,トランジスタによって示されるヒステリシスおよび持続的光伝導が,Ti/MoS_2界面の効果よりもむしろMoS_2チャネルの特異性であることを実証した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  界面 ,  接合 ,  電流 ,  *トランジスタ ,  ヒステリシス ,  プローブ ,  *FET【トランジスタ】 ,  酸化チタン ,  *非対称性 ,  画像 ,  化学蒸着 ,  バイアス ,  整流
準シソーラス用語： *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  バリア低下 ,  検出器 ,  Schottky接触 ,  トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二層 ,  電界効果トランジスタ ,  非対称 ,  Schottky接触