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J-GLOBAL ID：201802228742338059   整理番号：18A1997679

磁場及びパルスプラズマ増強化学蒸着により作製した環境セルのためのa-SiCNダイアフラムに及ぼすパルスパラメータ変化の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of pulse parameter change on a-SiCN diaphragms for environmental cells fabricated by magnetic-field- and pulsed-plasma-enhanced chemical vapor deposition

著者 (3件)： Murano Masanori (Kindai University, 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka, 577-0822, Japan) ,  Matsutani Takaomi (Kindai University, 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka, 577-0822, Japan) ,  Kawasaki Tadahiro (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, 456-8587, Japan)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 158  ページ： 60-64  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可変パルスパラメータのユニークな電源を用いて,磁場およびパルスプラズマ増強化学蒸着により,環境セル用の非晶質窒化ケイ素(a-SiCN)ダイヤフラムを開発した。10μsから500μsまでのパルス幅範囲における500Vの正の矩形波パルス電圧を,前駆体ガスヘキサメチルジシラザン,Ar,およびN_2によるプラズマ発生のために,2つの平行電極の上部および下部に交互に供給した。両電極にパルス電圧を交互に供給することにより,上部電極だけでなく,充電の影響を抑制できた。膜窒化に及ぼすパルスパラメータの影響を調べるために,a-SiCNダイヤフラムをプラズマ発生の3つの方法によって調製した。(1)両電極に対して同じパルス幅をもつ異なるパルス周波数,(2)両電極に対する異なるパルス幅をもつ同じパルス周波数,(3)両電極に対する無電圧供給時間を含む同じパルス幅。両方の電極に10kHzで50μsのパルス幅を供給することによって作られたダイヤフラムは,28.9%の最も高い窒素成分比率を持った。膜窒化の増強はプラズマ中のイオン衝突数の増加に起因すると考えられた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,  *プラズマCVD ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ダイヤフラム ,  充電 ,  プラズマ生成 ,  パルス幅 ,  窒素 ,  *パルス ,  前駆体 ,  *磁場 ,  アルゴン ,  *プラズマ ,  窒化
準シソーラス用語： パルス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 環境セルを用いた透過型電子顕微鏡 ,  ダイヤフラム ,  磁場およびパルスプラズマ増強化学蒸着 ,  非晶質シリコン炭窒化物 ,  パルスパラメータの影響

分類 (1件)： 気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 磁場 ,  パルス ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  作製 ,  環境 ,  セル ,  ダイアフラム ,  パラメータ