文献

J-GLOBAL ID：201802229032410107   整理番号：18A1112741

β-(Al_xGa_1-x)_2O_3/Ga_2O_3二重ヘテロ構造電界効果トランジスタの実証【JST・京大機械翻訳】

Demonstration of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃ double heterostructure field effect transistors

著者 (6件)： Zhang Yuewei (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Joishi Chandan (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Xia Zhanbo (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Brenner Mark (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Lodha Saurabh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Rajan Siddharth (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 23  ページ： 233503-233503-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,変調ドープβ-(Al_xGa_1-x)_2O_3/Ga_2O_3二重ヘテロ構造電界効果トランジスタを実証した。β-(Al_xGa_1-x)_2O_3/Ga_2O_3ヘテロ構造における二次元電子ガス(2DEG)の最大シートキャリア密度は,障壁層における伝導帯オフセットと寄生チャネル形成によって制限される。β-(Al_xGa_1-x)_2O_3/Ga_2O_3/(Al_xGa_1-x)_2O_3量子井戸を実現する二重ヘテロ構造を実証した。電子はβ-Ga_2O_3量子井戸の上下から移動できる。3.85×10~12cm-2の閉じ込められた2DEG電荷密度を低温Hall測定から推定した。これは単一ヘテロ構造で達成できるよりも高い。室温で40Kと123cm~2/Vの温度で1775cm~2/VのHall移動度を測定した。変調ドープ二重ヘテロ構造電界効果トランジスタは,I_DS=257mA/mmの最大ドレイン電流,39mS/mmのピーク相互コンダクタンス(g_m),および室温で-7.0Vのピンチオフ電圧を示した。1.55μmのゲート-ドレイン間隔(L_GD)を有するデバイスに関する3端子オフ状態破壊測定は,2.8MV/cmの平均破壊電界に対応して,428Vの絶縁破壊電圧を示した。196nmのスケールしたゲート-ドレイン間隔を持つ素子の破壊測定は,3.2MV/cmの平均破壊電界を示した。実証された変調ドープβ-(Al_xGa_1-x)_2O_3/Ga_2O_3二重ヘテロ構造電界効果トランジスタは,高出力および高周波デバイス応用の有望な候補として機能することができた。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  低温 ,  伝導バンド ,  キャリア密度 ,  チャネル ,  変調ドーピング ,  量子井戸 ,  相互コンダクタンス ,  *電場 ,  ピンチオフ ,  *FET【トランジスタ】 ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  ドレイン電流 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  実証