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J-GLOBAL ID:201802229038538764   整理番号:18A1195499

記憶装置へのシナプス動力学プロセスのエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Engineering the Synaptic Kinetic Process into Memristive Device
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: e1800096  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2482A  ISSN: 2199-160X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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長期記憶,短期記憶,および経験依存学習のような重要なシナプス機能性は,脳に触発されたコンピューティングに向けての主要なステップを提供する新しいメムリスティブ装置によって広範囲にエミュレーションされている。メムリスタに基づく電子シナプスの大部分は,通常,細胞レベルでの生理学的挙動のエミュレーションに焦点を合わせている。しかしながら,電子シナプスの細胞内シナプス動的性質に関する研究はほとんど報告されていない。本論文では,Ag/Ta_2O_5/Ptベースのメムリスタを用いて,生物学的シナプスの長期記憶と短期促進の両方を模倣した。パルス列測定の下で,素子は電気パルス強度,持続時間,周波数の変化に依存して短期的な促進を示した。実験結果に基づいて,著者らの装置におけるフィラメント動力学と短期促進中の細胞内シナプス動力学の間に1対1の対応を確立した。実験結果を生物学的モデルに適合させることにより,Agフィラメントの後部と頭部末端の動的変位を神経伝達物質とCa2+動力学に類似させた。動的過程は,Agフィラメントが1D「スティック」に単純化されるナノ粒子動力学のシミュレーションによって説明される。この研究は,生体忠実度の改善と神経形態計算への広い応用によるシナプス機能のエミュレーションを可能にする。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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脳・神経系モデル  ,  中枢神経系 
タイトルに関連する用語 (5件):
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