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J-GLOBAL ID：201802229109350965   整理番号：18A0242786

前駆体膜のアニーリング温度の最適化による10%の効率を有するCu_2ZnSn(S,Se)4光起電力デバイスの作製【Powered by NICT】

Fabrication of Cu₂ZnSn(S,Se)₄ photovoltaic devices with 10% efficiency by optimizing the annealing temperature of precursor films

著者 (11件)： Zhang Pengpeng (Key Laboratory for Renewable Energy (CAS), Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China. [e-mail]) ,  Yu Qing ,  Min Xue ,  Guo Linbao ,  Shi Jiangjian ,  Zhao Xiangyun ,  Li Dongmei ,  Luo Yanhong ,  Wu Huijue ,  Meng Qingbo ,  Wu Sixin
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 8  ページ： 4119-4124  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理Cu_2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)前駆体膜のアニーリング温度を注意深く好ましいセレン化に対して最適化した。より高い温度では,より溶媒が除去され,前駆体膜の結晶性を改善することができる。セレン化した膜の結晶性は温度を増加させることにより連続的に増加するが,円形と大きな結晶粒を持つ緻密なCZTSSe膜は350~400°Cの範囲の中高温度で達成できることが分かった。更なる研究は,この領域では,キャリアと欠陥密度は明らかに減少し,平均光電変換効率(PCE)を5.1%から9.4%に改善をもたらしていることを明らかにした。380°Cの最適焼なまし温度が得られ,光電変換効率の10.04%までが達成された。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光起電素子 ,  結晶粒 ,  高温 ,  欠陥密度 ,  結晶度 ,  *最適化 ,  *前駆体
準シソーラス用語： 焼きなまし温度 ,  光電変換効率 ,  CZTSSe ,  セレン化反応 ,  溶液処理 ,  *アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 前駆体 ,  アニーリング温度 ,  最適化 ,  Se ,  光起電力デバイス ,  作製