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J-GLOBAL ID：201802229115372439   整理番号：18A2160160

2Dホスホレン:電子デバイスのためのエピタキシャル成長と界面工学【JST・京大機械翻訳】

2D Phosphorene: Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices

著者 (11件)： Zhang Jia Lin (Department of Chemistry, National University of Singapore, 3 Science Drive 3, 117543, Singapore) ,  Han Cheng (SZU-NUS Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Han Cheng (Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, 117542, Singapore) ,  Hu Zehua (Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, 117542, Singapore) ,  Wang Li (Institute for Advanced Study and Department of Physics, Nanchang University, 999 Xue Fu Da Dao, Nanchang, 330031, China) ,  Liu Lei (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, No. 3888 Dongnanhu Road, Changchun, 130033, China) ,  Wee Andrew T. S. (Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, 117542, Singapore) ,  Chen Wei (Department of Chemistry, National University of Singapore, 3 Science Drive 3, 117543, Singapore) ,  Chen Wei (SZU-NUS Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Chen Wei (Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, 117542, Singapore) ,  Chen Wei (National University of Singapore (Suzhou) Research Institute, 377 Lin Quan Street, Suzhou Industrial Park, Jiang Su, 215123, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 47  ページ： e1802207  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1914年に最初に合成され,2014年に2D材料の新しいメンバーとして再発見された黒リン(BP)は,高い電荷キャリア移動度と調整可能な直接バンドギャップのような,グラフェンと遷移金属ジカルコゲニドの多くの異常な性質を組み合わせている。加えて,それは他の識別特性,例えば両極性輸送と高度異方性特性を示した。電子および光電子デバイスにおけるBPの成功裏の応用は,元素リンから成る2D材料のクラス,2Dホスホレンの他のアロトロープおよび合金における重要な研究関心を刺激した。原子的に薄いシートとして,2D-ホスホレン(基質/ホスホレン,電極/ホスホレン,誘電体/ホスホレン,大気/ホスホレン)中に存在する種々の界面がボトムアップ合成において支配的役割を果たし,キャリア注入,キャリア輸送,キャリア濃度,及びデバイス安定性などのデバイスに対するいくつかの重要な特性を決定した。界面の合理的な設計/工学は,2Dホスホレンの成長を操作するための効果的な方法を提供し,高性能の多機能デバイスを実現するために,その電子的および光電子的性質を調節する。ここでは,異なる基板上の単層青色リンのエピタキシャル成長,高性能相補デバイスのためのBPの表面官能化,および大気中のBP分解機構の研究を含む,2Dホスホレンの界面エンジニアリングの最近の進歩を強調した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア注入 ,  グラフェン ,  光電子 ,  合金 ,  *界面 ,  *エピタクシー ,  *二次元 ,  基板 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  異方性
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  直接バンドギャップ ,  *電子素子 ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 2Dホスホレン ,  電子デバイス ,  エピタキシャル成長 ,  界面工学

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 2D ,  ホスホレン ,  電子デバイス ,  エピタキシャル成長 ,  界面 ,  工学