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J-GLOBAL ID：201802229125008082   整理番号：18A1700625

THVPE法を用いたN極性GaNの高温成長

著者 (8件)： 大関大輔 (東京農工大 大学院工学府) ,  竹川直 (東京農工大 大学院工学府) ,  河本直哉 (東京農工大 大学院工学府) ,  山口晃 (大陽日酸) ,  村上尚 (東京農工大 大学院工学府) ,  熊谷義直 (東京農工大 大学院工学府) ,  松本功 (大陽日酸) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院工学府)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21p-146-3  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  極性 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *エピタクシー ,  厚膜 ,  塩化ガリウム ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  成長速度 ,  X線回折分析 ,  半値幅 ,  基板温度
準シソーラス用語： *THVPE【薄膜成長】 ,  三塩化ガリウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 極性 ,  GaN ,  成長