Weisse Julietta について
Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen, Chair of Electron Devices; Erlangen, 91058, Germany について
Hauck Martin について
Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, Lehrstuhl fuer Angewandte Physik, Department Physik; Staudtstrasse 7, Erlangen, 91058, Germany について
Sledziewski Tomasz について
Fraunhofer IISB; Schottkystrasse 10, Erlangen, 91058, Germany について
Tschiesche Mattias について
Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, Lehrstuhl fuer Angewandte Physik, Department Physik; Staudtstrasse 7, Erlangen, 91058, Germany について
Krieger Michael について
Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, Lehrstuhl fuer Angewandte Physik, Department Physik; Staudtstrasse 7, Erlangen, 91058, Germany について
Bauer Anton J. について
Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology (IISB); Schottkystrasse 10, Erlangen, 91058, Germany について
Mitlehner Heinz について
Fraunhofer IISB; Schottkystrasse 10, Erlangen, 91058, Germany について
Frey Lothar について
Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen, Chair of Electron Devices; Erlangen, 91058, Germany について
Erlbacher Tobias について
Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen, Chair of Electron Devices; Erlangen, 91058, Germany について
Materials Science Forum について
キャリア密度 について
Hall効果 について
補償効果 について
イオン化ポテンシャル について
電荷 について
ドーピング について
アルミニウム について
アドミタンス について
電気的活性 について
アルミニウムイオン について
熱アニーリング について
エピタキシャル層 について
4H-SiC について
アドミタンス分光法 について
補償 について
活性化 について
アルミニウム注入 について
イオン化エネルギー について
Hall効果 について
二次イオン質量分析(SIMS) について
半導体の格子欠陥 について
ダイオード について
半導体の放射線による構造と物性の変化 について
半導体結晶の電気伝導 について
アルミニウム について
注入 について
4H-SiC について
補償効果 について
解析 について