文献

J-GLOBAL ID：201802229201122518   整理番号：18A2042209

アルミニウム注入4H-SiCデバイスにおける補償効果の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices

著者 (9件)： Weisse Julietta (Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen, Chair of Electron Devices; Erlangen, 91058, Germany) ,  Hauck Martin (Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, Lehrstuhl fuer Angewandte Physik, Department Physik; Staudtstrasse 7, Erlangen, 91058, Germany) ,  Sledziewski Tomasz (Fraunhofer IISB; Schottkystrasse 10, Erlangen, 91058, Germany) ,  Tschiesche Mattias (Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, Lehrstuhl fuer Angewandte Physik, Department Physik; Staudtstrasse 7, Erlangen, 91058, Germany) ,  Krieger Michael (Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, Lehrstuhl fuer Angewandte Physik, Department Physik; Staudtstrasse 7, Erlangen, 91058, Germany) ,  Bauer Anton J. (Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology (IISB); Schottkystrasse 10, Erlangen, 91058, Germany) ,  Mitlehner Heinz (Fraunhofer IISB; Schottkystrasse 10, Erlangen, 91058, Germany) ,  Frey Lothar (Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen, Chair of Electron Devices; Erlangen, 91058, Germany) ,  Erlbacher Tobias (Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen, Chair of Electron Devices; Erlangen, 91058, Germany)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 184-187  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,n型4H-SiCエピタキシャル層へのアルミニウム(Al)の注入後に形成され,その後の熱アニーリング後に形成される補償欠陥を解析した。これらの欠陥は,[Al]_iml≒9が10~16cm-3の低ドープ層では84%,[Al]_impl≒2が10~19cm-3の高ドープ層では27%まで期待される自由電荷キャリア密度を減少させた。さらに,100%の注入アルミニウムイオンの電気的活性化比を計算した。Hall効果とアドミッタンス分光法で測定した注入アルミニウムのイオン化エネルギーは,ドーピング濃度に依存して101meVから305meVの範囲であった。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  Hall効果 ,  *補償効果 ,  イオン化ポテンシャル ,  電荷 ,  ドーピング ,  *アルミニウム
準シソーラス用語： アドミタンス ,  電気的活性 ,  アルミニウムイオン ,  熱アニーリング ,  エピタキシャル層 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： アドミタンス分光法 ,  補償 ,  活性化 ,  アルミニウム注入 ,  イオン化エネルギー ,  Hall効果 ,  二次イオン質量分析(SIMS)

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： アルミニウム ,  注入 ,  4H-SiC ,  補償効果 ,  解析