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J-GLOBAL ID：201802229494387136   整理番号：18A1900302

Si系材料の低温直接接合のためのVUV/O_3活性化ボンダ【JST・京大機械翻訳】

VUV/O₃ activated bonder for low-temperature direct bonding of Si-based materials

著者 (6件)： Xu Jikai (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Wang Chenxi (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Qi Xiaoyun (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Wu Bin (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Zhou Shicheng (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Tian Yanhong (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEPT  ページ： 1448-1452  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温での直接接合は,大きな熱応力なしで異種材料を接合するための魅力的な技術である。真空紫外(VUV)活性化は,損傷の少ない表面洗浄のための有効な方法である。一方,得られた親水性表面は直接結合にも有益である。本論文では,低温でのSi系材料の直接接合のためのVUV/O3活性化ボンダを開発した。200°Cでのアニーリング後,Si/ガラスおよびガラス/ガラス結合対に対する高い結合強度が達成された。原子間力顕微鏡(AFM)と水接触角試験機を,表面粗さと濡れ性に及ぼすVUVの影響を分析するために実施した。Si-Si,Si-ガラスおよびガラス-ガラス結合界面も透過型電子顕微鏡(TEM)により観察した。Si/SiとSi/ガラスの欠陥のない,タイトな界面が得られた。しかし,ガラス/ガラス結合界面は,アニーリング過程の間のサブ表面のより少ない変形に起因すると考えられるマイクロボイドの完全であった。さらに,表面と界面の研究に基づいて,VUV活性化によるSi系材料の直接結合に対する結合機構を議論した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 濡れ ,  *低温 ,  透過型電子顕微鏡 ,  焼なまし ,  *ケイ素 ,  ガラス ,  熱応力 ,  界面 ,  親水性 ,  試験装置 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： 水接触角 ,  結合強度 ,  異種材料 ,  *直接接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  低温 ,  直接接合 ,  VUV ,  活性化