文献

J-GLOBAL ID：201802229760764143   整理番号：18A1211102

極端に高い接合温度での1.2kV SiC MOSFETの電気特性評価【JST・京大機械翻訳】

Electrical characterization of 1.2kV SiC MOSFET at extremely high junction temperature

著者 (4件)： Sun Jiahui (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Xu Hongyi (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Yang Shu (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Sheng Kuang (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 387-390  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 700°Cまでの高い接合温度における1.2kV SiC MOSFETのしきい値電圧とチャネル移動度を,特別に設計された短絡測定技術により初めて抽出し,解析した。短絡動作の間,SiC MOSFETの接合温度は数マイクロ秒以内に著しく上昇し,短絡波形と電熱計算に基づいて抽出できる。本研究で調べたSiC MOSFETは,700°Cまでの接合温度で正常オフ動作を維持することができた。さらに,閾値電圧とチャネル移動度の温度依存性の基礎となる機構についても議論した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電気特性 ,  電気加熱 ,  温度依存性
準シソーラス用語： チャネル移動度 ,  閾値電圧 ,  *接合温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 接合温度 ,  SiC ,  MOSFET ,  電気特性 ,  評価