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J-GLOBAL ID：201802230051292715   整理番号：18A1648481

高電子移動度半導体Bi_2O_2Seの電子的および機械的性質【JST・京大機械翻訳】

Electronic and mechanical property of high electron mobility semiconductor Bi₂O₂Se

著者 (6件)： Liu Jiang (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology, Xi’an 710054, China) ,  Tian Liqiang (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology, Xi’an 710054, China) ,  Mou Yao (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology, Xi’an 710054, China) ,  Jia Wanli (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology, Xi’an 710054, China) ,  Zhang Lin (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology, Xi’an 710054, China) ,  Liu Rujun (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology, Xi’an 710054, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 764  ページ： 674-678  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半経験的van der Waals分散補正と組み合わせた第一原理計算を用いて,Bi_2O_2Seの構造的,電子的および機械的性質を調べた。Bi_2O_2Seはバンドギャップが0.99eVの半導体であることを予測した。その体積弾性率,せん断弾性率,Young率およびポアソン比を解析することにより,それが延性材料であることを見出した。さらに,せん断異方性因子と弾性異方性も調べた。理論的弾性定数により,約0.2W/(m K)の最小熱伝導率と18.23KのDebye温度を決定した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Poisson比 ,  *機械的性質 ,  バンドギャップ ,  異方性 ,  剛性率 ,  Young率 ,  Debye温度 ,  剪断 ,  弾性係数 ,  熱伝導率 ,  *半導体
準シソーラス用語： 弾性異方性 ,  延性材料 ,  体積弾性率 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Bi_2O_2Se ,  電子構造 ,  機械的性質 ,  Debye温度 ,  最小熱伝導率 ,  第一原理計算

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子移動度 ,  電子 ,  機械的性質