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J-GLOBAL ID:201802230130146509   整理番号:18A0860731

高統計サンプリングを用いたCu(Mn)相互接続におけるエレクトロマイグレーション誘起逆流応力の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of electromigration-induced backflow stresses in Cu(Mn) interconnects using high statistical sampling
著者 (7件):
資料名:
巻: 2018  号: IRPS  ページ: 4F.2-1-4F.2-4  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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エレクトロマイグレーション誘起応力は,この重要な信頼性劣化機構の解析と説明において主要な役割を果たす。方向性原子輸送は相互接続構造の陰極端で引張応力を発生させるが,陽極端では圧縮応力が発生すると一般に仮定されている。短いオンチップ金属相互接続長において,カソードとアノードの間のエレクトロマイグレーション誘起応力勾配は,一次エレクトロマイグレーション効果(すなわち,方向性原子輸送)に対抗し,良く知られたBlech効果をもたらす。本研究では,通常の応用とは異なる構成で,4個の100個のCu配線を持つWheatstoneブリッジ素子を用いた。ブリッジ当たりの400個のCu相互接続は,規則的な抵抗タッピングなしで並列/直列配置で有線され,初期故障の高い検出確率の元のアプローチを無効にする。その代わりに,各々の個々の相互接続で生じる抵抗増加の測定のための非常に高い統計的サンプリングを達成でき,その結果,臨界電流密度(jL)cの関数として,線形ドリフト部分と飽和効果を用いて,45nm幅と100nm高さを持つ40μm長のCu(Mn)M1相互接続に対して,(jL)c=(510±110)mA/μmの値を決定した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性 

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