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J-GLOBAL ID：201802230280676958   整理番号：18A0588343

二重パルス試験に基づくSiC MOSFETの特性化を切り替え【Powered by NICT】

Double pulse test based switching characterization of SiC MOSFET

著者 (2件)： Ahmad S. S. (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore - 560012 India) ,  Narayanan G. (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore - 560012 India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NPEC  ページ： 319-324  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非対称Hブリッジ電力変換器における1200V,90A SiC MOSFETのスイッチング特性を測定した。二重パルス試験を種々の電流と電圧レベルで行った。実験装置と手順を詳細に説明した。スイッチング波形はMOSFETの電圧と電流遷移時間を得るために用いた。ターンオンとターンオフエネルギー損失も計算した。これらは電力回路のレイアウトに影響されるので,電力変換器配置とスイッチング波形への影響を報告した。ターンオフエネルギー損失はデータシート規定値より低かったが,ターンオンエネルギー損失が高かった。全損失はデータシート値に近かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ターンオン ,  ターンオフ ,  電流 ,  電圧 ,  エネルギー損失 ,  *MOSFET ,  スイッチング ,  データシート ,  電力 ,  非対称性 ,  *キャラクタリゼーション ,  電力変換器 ,  *パルス
準シソーラス用語： 遷移時間 ,  スイッチング特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  試験 ,  SiC ,  MOSFET ,  特性化 ,  切り替え