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J-GLOBAL ID：201802230825435471   整理番号：18A1261538

シリコン導波路上の超低挿入損失能動横電気通過偏光子ベースGe2Sb2Te5の設計【JST・京大機械翻訳】

Design of ultra-low insertion loss active transverse electric-pass polarizer based Ge2Sb2Te5 on silicon waveguide

著者 (4件)： Song Yipeng (Laboratory of Infrared Material and Devices, Advanced Technology Research Institute, Ningbo University, Ningbo, 315211, China) ,  Song Yipeng (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, 315211, China) ,  Xu Peipeng (Laboratory of Infrared Material and Devices, Advanced Technology Research Institute, Ningbo University, Ningbo, 315211, China) ,  Xu Peipeng (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, 315211, China)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 426  ページ： 30-34  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge2Sb2Te5(GST)の相変化材料をもつシリコン導波路とシリコンハイブリッド導波路からなる非対称方向性結合器に基づいて,超低挿入損失(IL)をもつ能動横電気(TE)通過偏光子を提案した。偏光子の同調性は,非晶質相と結晶相の間のGSTの光学的性質のかなりの変化に依存する。5.5μm長の能動偏光子は,望ましくない横磁気(TM)モードに対して28dB以上の超高ILと,GSTの結晶相によるTEモードに対して0.12dB程度の超低ILを有することを数値的に実証した。非晶質相へのトリガーの場合,素子はTE/TMモードに対して無視できるほどのILをもつ透明性を示した。提案した素子は,高い消光比(ER)と相対的に大きな作製許容性を有する約200nmの広帯域を有している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： TEモード ,  *導波路 ,  非対称性 ,  TMモード ,  光学的性質 ,  消光比 ,  同時性 ,  *偏光子 ,  磁気 ,  広帯域 ,  *ケイ素 ,  *挿入損
準シソーラス用語： 透明性 ,  結晶相 ,  相変化材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  導波路 ,  挿入損失 ,  偏光子 ,  設計