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J-GLOBAL ID：201802231017375789   整理番号：18A2042275

可変共鳴周波数スピン依存電荷ポンピングで調べた4H-SiC/SiO_2界面に及ぼす窒素の影響【JST・京大機械翻訳】

The Effect of Nitrogen on the 4H-SiC/SiO₂ Interface Studied with Variable Resonance Frequency Spin Dependent Charge Pumping

著者 (3件)： Anders Mark A. (Pennsylvania State University; University Park, USA, 16802) ,  Lenahan Patrick M. (Pennsylvania State University; University Park, USA, 16802) ,  Lelis Aivars J. (U.S. Army Research Laboratory; 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, USA, 20783)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 469-472  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,電気的に検出された磁気共鳴技術であるスピン依存電荷ポンピングにより,4H-SiC MOSFETの界面に及ぼすNOアニールの影響を研究した。高および超低共振周波数での測定を行った。著者らの結果は,NOアニールがシリコン空孔エネルギー準位を変化させ,界面での無秩序を誘起することを示した。さらに,著者らの結果は,エネルギー準位の変化がV_Siサイトに非常に近いN原子を含むことを示した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ケイ素 ,  焼なまし ,  磁気共鳴 ,  エネルギー準位 ,  *界面 ,  空格子点 ,  *窒素 ,  *共振周波数
準シソーラス用語： 窒素原子 ,  SiC MOSFET ,  *4H-SiC ,  *チャージポンプ回路 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 界面 ,  磁気共鳴 ,  窒素 ,  欠陥

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 可変 ,  共鳴周波数 ,  スピン ,  電荷ポンピング ,  4H-SiC ,  界面 ,  窒素