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J-GLOBAL ID：201802231025756156   整理番号：18A0163310

改善されたアナログ性能のためのヘテロ接合DG TFETの原料物質の評価【Powered by NICT】

Source material assessment of heterojunction DG-TFET for improved analog performance

著者 (3件)： Madan Jaya (Microelectronics Research Lab, Department of Engineering Physics, Delhi Technological University, Bawana Road, Delhi-110042, India) ,  Shekhar Skanda (Microelectronics Research Lab, Department of Engineering Physics, Delhi Technological University, Bawana Road, Delhi-110042, India) ,  Chaujar Rishu (Microelectronics Research Lab, Department of Engineering Physics, Delhi Technological University, Bawana Road, Delhi-110042, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMDCS  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,二重ゲートトンネルFET(DG TFETs)の震源域としての異なる材料の実行可能性を研究した。研究は本質的にDG TFETの優れた電流スイッチング比(I_ON/I_OFF),しきい値電圧(V_th)とサブしきい値スイング(SS)を得ることに焦点を当てた。これに関連して,シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge)及びひ化インジウム(InAs)源を有するDG TFETの電気的およびアナログパラメータの比較解析を行った。材料の選択は,それぞれの効果14~日群からの元素半導体と周期律表の13~Th,15~日群からの元素の二元化合物を研究するように行った。原料中のこのような変化は,ソース-チャネル界面,ゲートバイアスの応用に対するデバイスのバンド曲がりをかなり変化させるヘテロ接合の生成を可能にした。非局所バンド間トンネリング(BTBT)モデルに基づく数値シミュレーション法を用いて,ソースの性質と素子の特性との間の強い相関を検討した。GeおよびInAs源DG TFETの両方が標準的なSi源DG TFETよりも顕著な改善を示したが,Geは望ましい原料としてInAs性能が優れていることを評価した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  チャネル ,  *アナログ系 ,  ヒ化インジウム ,  *ヘテロ接合 ,  界面 ,  シミュレーション ,  モデリング
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  バンド曲がり ,  ゲートバイアス ,  周期律表 ,  元素半導体 ,  サブ閾値スイング ,  閾値電圧 ,  二重ゲート ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： アナログ ,  ヘテロ接合 ,  dG ,  TFET ,  原料物質 ,  評価