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J-GLOBAL ID:201802231115014867   整理番号:18A1426955

強誘電性HfSiO MIMキャパシタのHAXPES評価【JST・京大機械翻訳】

HAXPES evaluation of ferroelectric HfSiO MIM capacitor
著者 (6件):
資料名:
巻: 2018  号: EDTM  ページ: 316-318  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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MIMキャパシタ構造をもつ上部TiN電極の下に埋め込まれた強誘電体HfSiO層の直接評価を示した。HAXPESに対する非弾性平均自由行程は通常のXPSに対するそれよりも数倍深いので,HfSiOのHf4fスペクトルを明確に測定し,結晶化に対するHfSiOの熱アニーリング後に化学結合状態が変化することを明らかにした。この方法は,そのようなプロセス最適化のための強力な支援を提供する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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