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J-GLOBAL ID:201802231141052777   整理番号:18A1685462

ハイブリッドInAs Stranski Krastanovおよびサブ単分子層量子ドットヘテロ構造の最適化と近赤外領域における光起電力エネルギー変換効率に対するその効果【JST・京大機械翻訳】

Optimization of hybrid InAs stranski krastanov and submonolayer quantum dot heterostructures and its effect on photovoltaic energy conversion efficiency in near infrared region
著者 (6件):
資料名:
巻: 171  ページ: 64-72  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0099A  ISSN: 0038-092X  CODEN: SRENA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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近赤外(NIR)領域における光起電力エネルギー変換を改善するために,サブ単分子層(SML)量子ドット(QD)ヘテロ構造上にハイブリッドStranski Krastanov(SK)を導入した。より低い量の累積歪を持つ垂直結合QDは,それを均一QDファミリーの有望な競争者にする。今でも,研究グループは,より良いNIR収穫のために,このような不均一結合QDベース量子ドット太陽電池(QDSC)を報告していない。本研究では,このような不均一QDファミリーの成長最適化を強調した。ドット間電子相互作用のex situ変調を急速熱アニーリング(RTA)により調べた。0.1ML/sの成長速度と7.5nmGaAs障壁を持つ試料は,改善された熱安定性を持つ最良の結合配置として生じた。この特殊な配置をP-I-N QDSCに組み込み,NIR領域でより広い外部量子効率を示した。さらに,650と700°CでのRTAは,成長した欠陥とトラップ中心の消滅による量子効率の劇的な増強を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 

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