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J-GLOBAL ID：201802231247362312   整理番号：18A0937625

高効率Cu_2Sn(S,Se)_4太陽電池のための空気におけるポストアニーリングの役割に関する洞察【JST・京大機械翻訳】

Insight into the role of post-annealing in air for high efficient Cu₂ZnSn(S,Se)₄ solar cells

著者 (13件)： Gao Shoushuai (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China) ,  Zhang Yi (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China) ,  Ao Jianping (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China) ,  Li Xiuling (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China) ,  Qiao Shuang (College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Wang Ying (College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Lin Shuping (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China) ,  Zhang Zhaojing (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China) ,  Wang Dongxiao (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China) ,  Zhou Zhiqiang (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China) ,  Sun Guozhong (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China) ,  Wang Shufang (College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Sun Yun (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Information Technical Science of the Education Ministry of China, Nankai University, Tianjin 300071, PR China)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 182  ページ： 228-236  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe)太陽電池の素子性能は,空気中270°C,3分間の全素子のアニーリングにより著しく改善された。本論文では,外部量子効率(EQE),Ramanスペクトル,容量-電圧(C-V),アドミッタンススペクトル(AS)測定および数値シミュレーションの結果を解析することにより,ポストアニーリング処理による太陽電池の改善の起源を提案した。実験結果により,支配的な自由正孔キャリアは,アニーリング処理後に,深い欠陥Cu_Znから非常に高い密度の浅い欠陥V_Cuに変化し,そしてそれは,吸収体の表面領域における,良性[V_Cu+Zn_Cu]欠陥クラスタの密度の増加および有害[2Cu_Zn+Sn_Zn]欠陥クラスタの密度の減少をもたらした。結果として,開放電圧(V_OC)および充填因子(FF)は,著しく増加した。短絡電流密度(J_SC)はわずかに増加し,これは界面再結合の減少とCdS/CZTSSe界面におけるバンド配列の改善に起因すると考えられる。結果として,CZTSSe太陽電池の変換効率は,フルデバイスのポストアニーリングにより,4.41%から8.02%に改善された。さらに,wxAMPSソフトウェアを用いた数値シミュレーションを行い,ポストアニーリング処理による欠陥タイプ,欠陥密度およびキャリア密度の変化の役割についての洞察を明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  Ramanスペクトル ,  吸収体 ,  *焼なまし ,  欠陥密度 ,  界面 ,  キャリア密度 ,  電圧
準シソーラス用語： 変換効率 ,  CZTSSe ,  短絡電流密度 ,  開回路電圧 ,  数値シミュレーション ,  外部量子効率 ,  *ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ケステライト ,  Cu_2Sn(S Se)_4 ,  太陽電池 ,  ポストアニーリング ,  欠陥 ,  キャリア密度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高効率 ,  Se ,  太陽電池 ,  ポストアニーリング ,  役割 ,  洞察