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J-GLOBAL ID：201802231421131142   整理番号：18A0160151

シェブロングラフェンナノリボン電界効果トランジスタにおける負性微分抵抗と急峻なスイッチング【Powered by NICT】

Negative Differential Resistance and Steep Switching in Chevron Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors

著者 (4件)： Smith Samuel (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Llinas Juan-Pablo (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Bokor Jeffrey (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Salahuddin Sayeef (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 1  ページ： 143-146  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近作製したシェブロン型グラフェンナノリボンはモノリシック超格子構造として作用することを示した。これは,これらのナノリボンにおける異なる有効バンドギャップの領域と大周期単位セルにより可能となった,伝導バンド端より上の状態密度におけるミニバンドとギャップをもたらした。非平衡Green関数形式に基づく量子輸送計算は負の微分抵抗(NDR)は,これらのナノリボンに現れることが期待されることを明らかにした。状態の比較的低い密度のために,このようなNDR挙動もゲート電場を調節することができた。サブ熱サブしきい値スイング(<kT/q)を三端子法で得られた,光学フォノン散乱の存在下でもできる可能性があることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  バンドギャップ ,  *FET【トランジスタ】 ,  超格子 ,  状態密度 ,  伝導バンド
準シソーラス用語： 光学フォノン ,  サブ閾値スイング ,  *微分抵抗 ,  量子輸送 ,  非平衡Green関数 ,  ミニバンド ,  *ナノリボン ,  *グラフェンナノリボン ,  *負性微分抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界効果トランジスタ ,  負性微分抵抗 ,  スイッチング