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J-GLOBAL ID：201802231503512727   整理番号：18A0799202

移動ドープHダイヤモンドにおける表面粗さとキャリア輸送に対する水素プラズマパワーの役割【JST・京大機械翻訳】

The role of hydrogen plasma power on surface roughness and carrier transport in transfer-doped H-diamond

著者 (6件)： Crawford Kevin G. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, United Kingdom) ,  Tallaire Alexandre (LSPM-CNRS, Universite Paris 13, Villetaneuse 93430, France) ,  Li Xu (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, United Kingdom) ,  Macdonald David A. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, United Kingdom) ,  Qi Dongchen (Department of Chemistry and Physics, La Trobe Institute for Molecular Science, La Trobe University, Melbourne, Victoria 3086, Australia) ,  Moran David A.J. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, United Kingdom)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 84  ページ： 48-54  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンドの表面移動ドーピングは,基本的には,表面伝導性を確立するために必要な界面電荷交換を可能にするために,水素のような化学種によるダイヤモンド表面の終端を基本的に必要とする。ここでは,(100)ダイヤモンド表面の粗さと伝導率に及ぼす変化した水素プラズマパワーの影響を示した。水素終端の前に,基板を,調整したCl_2+ArとO_2+Ar化学を用いてエッチングし,原子間力顕微鏡(AFM)によって測定した表面から約3.4μmを除去しながら,約0.2nmの粗さ平均の非常に滑らかな表面を生成した。研磨後研磨を用いることにより,スカイフ研磨のみとは対照的に,結晶損傷の少ないより滑らかなダイヤモンド表面を作製する有効な手段が得られる。公称的に同一のエッチング表面を作製することにより,表面伝導率と水素終端プラズマパワーの間の関係を観測した。表面アクセプタ材料としてMoO_3を用いて,Hall測定を行い,ダイヤモンド内のシート抵抗,キャリア密度および移動度を調べた。ダイヤモンド表面の粗さの関連した増加にもかかわらず,より高い水素プラズマパワー条件で,増強された正孔移動度による表面伝導率の増加が観察された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  シート抵抗 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  研磨 ,  表面拡散 ,  移動度 ,  原子間力顕微鏡 ,  エッチング ,  *水素
準シソーラス用語： 表面伝導率 ,  水素終端 ,  伝導率 ,  表面伝導 ,  *水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  ダイヤモンド ,  表面粗さ ,  キャリア輸送 ,  水素プラズマ ,  パワー ,  役割