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J-GLOBAL ID：201802231507217905   整理番号：18A2042346

6.5kV SiC MOSFETに適用したロバストエッジ終端の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the Robust Edge Termination Applied to 6.5kV SiC MOSFET

著者 (8件)： Ebihara Kohei (Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R&D Center; 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi Amagasaki, Hyogo, Japan, 661-8661) ,  Kawahara Koutarou (Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R&D Center; 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi Amagasaki, Hyogo, Japan, 661-8661) ,  Hino Shiro (Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R&D Center; 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi Amagasaki, Hyogo, Japan, 661-8661) ,  Sadamatsu Koji (Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R&D Center; 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi Amagasaki, Hyogo, Japan, 661-8661) ,  Nagae Akemi (Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R&D Center; 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi Amagasaki, Hyogo, Japan, 661-8661) ,  Nakao Yukiyasu (Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R&D Center; 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi Amagasaki, Hyogo, Japan, 661-8661) ,  Watanabe Hiroshi (Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R&D Center; 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi Amagasaki, Hyogo, Japan, 661-8661) ,  Yamakawa Satoshi (Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R&D Center; 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi Amagasaki, Hyogo, Japan, 661-8661)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 778-781  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーデバイスでは,高い絶縁破壊電圧と小さいサイズのエッジ終端が必要である。6.5kV MOSFETをターゲットとする種々のエッジ終端の逆バイアス特性をシミュレートし,FLRはサイズと注入Al線量の間の最良のトレードオフを示した。FLRを用いた作製したpnダイオードTEGは6.5kV以上の破壊電圧を示した。光放出により可視的にアバランシェ破壊を観測し,シミュレートした電場に対応した。これらは6.5kV MOSFETに対して望ましいFLRを作製できることを示した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光 ,  ダイオード ,  炭化ケイ素 ,  電場 ,  *MOSFET ,  放射線量 ,  アルミニウム
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  絶縁破壊電圧 ,  SiCパワーデバイス ,  SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エッジ終端 ,  炭化ケイ素(SiC) ,  MOSFET ,  6.5kV ,  フィールド制限リング(FLR)

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  MOSFET ,  終端 ,  研究