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J-GLOBAL ID：201802231820521448   整理番号：18A1028505

InドープZnOのALD【JST・京大機械翻訳】

ALD of in-doped ZnO

著者 (8件)： Li Z. (University of Florida, Gainesville, Florida, USA) ,  Wu Z. (University of Florida, Gainesville, Florida, USA) ,  Liao P. (University of Florida, Gainesville, Florida, USA) ,  Chao T. (University of Florida, Gainesville, Florida, USA) ,  Zhu L. (University of Florida, Gainesville, Florida, USA) ,  Kaczynski R. (Global Solar Energy, Inc., Tucson, Arizona, USA) ,  Schoop U. (Global Solar Energy, Inc., Tucson, Arizona, USA) ,  Anderson T.J. (University of Florida, Gainesville, Florida, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前駆体としてDEZn,H2S及びH2Oを用いたZnO及びZnS膜の原子層堆積(ALD)窓を決定し,堆積膜を特性化した。TMInへの周期的暴露によるALDの間のInによるZnOのドーピングを,膜の構造特性に重点を置いて研究した。XRDの結果は,より大きなIn原子によって誘起された膜における圧縮応力を示し,それはより小さい結晶粒サイズをもたらす。これらの結果に基づいて,ZnOS/ZnO:InとスパッタZnOS/ZnO:Alの積層層をCIGS薄膜上に蒸着し,ALD TCOの性能を標準TCOの性能と比較した。TCOとしてのZnOを有する仕上げセルは,TCOとしてスパッタしたZnO:Alを用いたセルと比較して比較的低いJSCとRseを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アルミニウム ,  薄膜 ,  硫化水素 ,  硫化亜鉛 ,  圧縮応力 ,  X線回折 ,  前駆体 ,  *ドーピング ,  *インジウム ,  キャラクタリゼーション ,  構造特性 ,  *酸化亜鉛 ,  結晶粒径
準シソーラス用語： セレン化ガリウムインジウム銅 ,  ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  ZnO ,  ALD