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J-GLOBAL ID:201802231835432632   整理番号:18A1320978

Cr2N薄膜の構造と特性に及ぼすターゲット電流密度の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of target current density on the structure and property of the Cr2N films deposited by hot wire plasma enhanced magnetron sputtering
著者 (6件):
資料名:
巻: 49  号:ページ: 3070-3075  発行年: 2018年 
JST資料番号: C2095A  ISSN: 1001-9731  CODEN: GOCAEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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種々のターゲット電流密度でのCr2N薄膜を,316Lオーステナイト系ステンレス鋼基板上に,プラズマ増強平衡マグネトロンスパッタリングによって,調製した。結果は,膜が高密度柱状構造であり,Cr2N(111)優先配向が主であることを示した。ターゲット電流密度が0.132mA/mm2のとき,WN相はCr2Nと共存した。薄膜と基板の結合は脆性破壊を呈し、ターゲット電流密度が0.132mA/mm2の時、最高の薄膜の硬度及び弾性率はそれぞれ33及び480GPaであり、摩耗量が最小であった。ターゲット電流密度0.264mA/mm2のとき,最大膜機械結合力は36.6Nであり,Cr2N膜のめっき後,表面硬度と耐摩耗性は明らかに改善した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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固体の機械的性質一般  ,  その他の無機化合物の薄膜 
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