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J-GLOBAL ID：201802232221564893   整理番号：18A1493562

大容量半導体モジュールの配線インダクタンスを用いた電流検出回路の開発

Development of Current Detecting Circuit with Wiring Inductance of Power Semiconductor Module

著者 (4件)： 長瀧仁貴 (茨城工業高等専門学校) ,  長洲正浩 (茨城工業高等専門学校) ,  稲葉政光 ((株)日立パワーデバイス) ,  根本泰宏 (長岡技術科学大学)
資料名： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
巻： 138  号： 8  ページ： 676-683(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： X0451A  ISSN： 0913-6339  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高電圧・大容量電力半導体モジュールは,ゲート駆動用のセンス-エミッタ端子とエミッタ端子を有している。センス-エミッタ端子とエミッタ端子間に寄生配線インダクタンスが存在する。電流がモジュールを通して流れると,誘導電圧(モジュール電流の微分値)が発生する。本研究では,誘導電圧を積分することにより,モジュールを流れる電流を検出する回路を開発した。積分器には積分誤差問題がある。通電中の積分器の出力を低減する方法を採用することによってこの問題を解決できることを確認した。さらに,配線インダクタンス中に抵抗が存在する。これは金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を用いて解決できることを示した。最後に,3300V/450A IGBTモジュールを用いて実験を行った。実験結果により,提案の回路が電力半導体モジュールを通る短絡電流のような電流と異常電流を検出できることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  配線 ,  自己インダクタンス ,  電圧 ,  積分 ,  *電流センサ ,  *電子回路 ,  容量 ,  MOSFET ,  IGBT ,  回路モジュール ,  チョッパ回路 ,  *回路設計 ,  電流電圧特性 ,  性能評価 ,  短絡電流 ,  誘導電圧
準シソーラス用語： 検出回路 ,  大容量 ,  電子回路設計 ,  *電流検出器 ,  電力半導体素子

著者キーワード (6件)： 電流検出 ,  配線による配線 ,  ハ -半導-ル ,  電流検出回路 ,  配線インダクタンス ,  パワー半導体モジュール

分類 (1件)： 電子回路一般  (NC05010N)

引用文献 (14件)：

• (1) K. Ishikawa, et al.: “Development of 600V Driver IC for Large-Current IGBT Using New Short-Circuit Protection”, IEEJ Trans. Ind. Appl., Vol. 134, No. 9, pp. 807-814 (2014) (in Japanese)
• 石川勝美,他:「新しい電圧検出型高速短絡保護回路を有する大電流IGBT用600VドライバIC」, 電学論D, Vol. 134, No. 9, pp. 807-814 (2014)
• (2) S. Okamoto, et al.: “An Application of a Physics-based IGBT Model to a Protection Circuit for Short-Circuit Conditions”, IEEJ Trans. Ind. Appl., Vol. 134, No. 10, pp. 853-862 (2014) (in Japanese)
• 岡本昌二,他:「IGBT物理モデルの負荷短絡保護回路への適用」, 電学論D, Vol. 134, No. 10, pp. 853-862 (2014)
• (3) K. Sasagawa, et al.: “Study on Gate-Controlled Protection Methods for IGBTs Under A Short-Circuit Condition”, IEEJ Trans. Ind. Appl., Vol. 127, No. 5, pp. 478-484 (2007) (in Japanese)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大容量 ,  モジュール ,  インダクタンス ,  電流検出回路 ,  開発