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J-GLOBAL ID：201802232493961646   整理番号：18A0839945

帯電条件下の絶縁性窒化ケイ素膜からのヘリウムイオンビーム誘起電子放出【JST・京大機械翻訳】

Helium ion beam induced electron emission from insulating silicon nitride films under charging conditions

著者 (3件)： Petrov Yu.V. (Saint-Petersburg State University, Faculty of Physics, Ulyanovskaya 1, Saint-Petersburg, Russia) ,  Anikeva A.E. (Saint-Petersburg State University, Faculty of Physics, Ulyanovskaya 1, Saint-Petersburg, Russia) ,  Vyvenko O.F. (Saint-Petersburg State University, Faculty of Physics, Ulyanovskaya 1, Saint-Petersburg, Russia)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 425  ページ： 11-17  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 15~35keVのエネルギーをもつヘリウムイオンで励起したシリコン上の異なる厚さの窒化けい素薄膜からの二次電子放出をヘリウムイオン顕微鏡で調べた。Everhart-Thornley検出器で測定された二次電子収率は照射時間とともに減少した。これは,絶縁膜の帯電がゼロになるか,あるいは比較的厚い膜または薄膜に対して非ゼロ値に達するためである。シリコン基板中のヘリウムイオンの電子エネルギー損失に比例することが分かった二次電子収量値の有限性は,ヘリウムイオンによる基板から励起された電子放出によって説明できる。絶縁体からの二次電子エネルギー分布の測定法を提案し,窒化けい素からの二次電子エネルギー分布を得た。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁体 ,  *窒化 ,  *電子放出 ,  絶縁膜 ,  薄膜 ,  エネルギー損失 ,  二次電子放出 ,  *帯電 ,  *ヘリウム ,  *窒化ケイ素 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 電子エネルギー分布 ,  シリコンウエハ ,  二次電子 ,  *ヘリウムイオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ヘリウムイオン顕微鏡 ,  二次電子放出 ,  薄膜 ,  誘電体

分類 (1件)： Auger電子放出,二次電子放出  (BM09040O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 帯電 ,  絶縁性 ,  窒化ケイ素膜 ,  ヘリウム ,  イオンビーム ,  誘起 ,  電子放出