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J-GLOBAL ID：201802232873831110   整理番号：18A0438777

制御可能なトレンチゲートを持つ新しいスナップバックと低ターンオフ損失逆伝導IGBTのシミュレーション研究【Powered by NICT】

Simulation Study of a Novel Snapback-Free and Low Turn-Off Loss Reverse-Conducting IGBT With Controllable Trench Gate

著者 (4件)： Wei Jie (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Luo Xiaorong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Huang Linhua (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 2  ページ： 252-255  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい超高速スナップバック自由に制御可能なトレンチゲート(CTG)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC IGBT)を逆導通を提案し,研究シミュレーションである。集熱器側におけるCTGを特徴とし,バイアス電圧(V_RC)はCTGとコレクタ電極間に印加した。V_RC<0の順方向伝導状態では,高密度正孔反転層はCTGの周りに形成される。CTGは分布抵抗を増加させるだけでなく,正孔注入効率を高めるために折畳まれた制御可能な穴インジェクタでなく,電子障壁として作用した。CTG RC-IGBTは液滴(V_ON)と小細胞ピッチのスナップバックフリー低オン状態電圧を達成した。V_RC>0のブロッキング状態において,電子蓄積層はCTGの周りに形成される。CTGと共に電子層は電場を停止し,高い破壊電圧を支援する等価N-バッファ層として作用する。ターンオフの間,正孔注入はV_RCを適当にスイッチングにより不活性化されるためCTG RC-IGBTはロングテール電流無し単極デバイスのように挙動した。従来のRC-IGBTと比較して,提案した装置は,100cm~2の負荷電流と母線電圧600Vの下で,それぞれ,34%および74%V_onとターンオフエネルギー損失(E_off)を減少させるCopyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  電圧 ,  *IGBT ,  電流 ,  正孔 ,  *シミュレーション ,  *ターンオフ ,  バッファ層 ,  ブロッキング ,  電場 ,  反転層
準シソーラス用語： 正孔注入 ,  バイアス電圧 ,  *スナップバック ,  *トレンチゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： トレンチゲート ,  スナップバック ,  ターンオフ ,  損失 ,  逆伝導 ,  IGBT ,  シミュレーション ,  研究