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J-GLOBAL ID:201802232964490683   整理番号:18A0839996

高速電子により横断された異なるドーピング密度を持つグラフェンの2層におけるプラズモンの生成【JST・京大機械翻訳】

Production of plasmons in two layers of graphene with different doping densities traversed by swift electrons
著者 (8件):
資料名:
巻: 446  ページ: 191-195  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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与えられた距離dによって分離された2つの平行グラフェン層を横切るエネルギー電子によって励起されたプラズモンの平均数を計算するために,完全に相対論的な定式化を適用した。THz周波数範囲における各層の伝導率を記述するために非散逸限界にDrudeモデルを用い,層が非対称パラメータを定義することにより電荷キャリアの異なるドーピング密度を持つ一般的な場合に取り組んだ。これにより,層の結合から生じる混成Diracプラズモン-ポラリトンモードを励起する確率密度を得た。したがって,その軌跡に沿った通過電子により励起されたプラズモンの数を得た。ドーピング密度における層間距離,入射粒子速度,非対称性などの異なるパラメータの影響を解析した。特に,ほぼ等しい伝導率に対するカスプ様挙動を見出し,ドーピング密度のわずかな変化に対する系の高い感度を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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炭素とその化合物  ,  比熱・熱伝導一般  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  酸化物薄膜 

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