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J-GLOBAL ID：201802233063215112   整理番号：18A0446879

非フィラメント状(VMCO)メモリスイッチングと破壊モードに及ぼす二次元および三次元研究【Powered by NICT】

Non-filamentary (VMCO) memory: A two-and three-dimensional study on switching and failure modes

著者 (14件)： Celano U. (imec, Leuven, Belgium) ,  Gastaldi C. (imec, Leuven, Belgium) ,  Subhechha S. (imec, Leuven, Belgium) ,  Govoreanu B. (imec, Leuven, Belgium) ,  Donadio G. (imec, Leuven, Belgium) ,  Franquet A. (imec, Leuven, Belgium) ,  Ahmad T. (University of Ghent, Ghent, Belgium) ,  Detavernier C. (University of Ghent, Ghent, Belgium) ,  Richard O. (imec, Leuven, Belgium) ,  Bender H. (imec, Leuven, Belgium) ,  Goux L. (imec, Leuven, Belgium) ,  Kar G. S. (imec, Leuven, Belgium) ,  van der Heide P. (imec, Leuven, Belgium) ,  Vandervorst W. (imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 39.1.1-39.1.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,初めて,組合わせた最先端のTiO2空孔変調伝導性酸化物(VMCO)メモリにおける抵抗スイッチング(RS)の性質を明らかにすることである集合二次元および三次元(3D)解析技術。(1)非フィラメント状スイッチング機構が観測された。(2)TiO_2における酸素取込と運動の役割を実証した。(3)スケール細胞内酸素プロファイルを測定し,スタック内の酸素の変調に基づくRSモデルを提案した。添加では,メスSPMと完全に作製されたデバイスのトモグラフィー解析を行い,このようにしてスイッチング動作までの全スタックとTiO_2結晶粒界(GB)の寄与3Dを調べた。最後に,サイクル中の絶縁破壊(BD)により破壊したデバイスを特性化し,破壊の根本原因として寄生フィラメントの形成を同定した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  *スイッチング ,  *二次元 ,  キャラクタリゼーション ,  酸素 ,  *破壊モード ,  酸化物 ,  結晶粒界 ,  *三次元 ,  トモグラフィー ,  *記憶装置 ,  *フィラメント
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： スイッチング ,  破壊モード ,  研究