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J-GLOBAL ID：201802233386561922   整理番号：18A1616987

グラフェン系シリコンSchottky太陽電池の作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and characterization of graphene based silicon Schottky solar cell

著者 (7件)： Singh Sumitra (Flexible and Non-Silicon Electronics Group, CSIR- Central Electronics Engineering Institute, Pilani, 333031, India) ,  Powar Sadanand (Department of Physics, National Institute of Technology (NIT), Warangal, 506002, India) ,  Mahala Pramila (Department of Electrical and Electronics Engineering, Birla Institute of Technology and Science (BITS), Pilani, 333031, India) ,  Majee Subimal (Flexible and Non-Silicon Electronics Group, CSIR- Central Electronics Engineering Institute, Pilani, 333031, India) ,  Eshwar T. (Flexible and Non-Silicon Electronics Group, CSIR- Central Electronics Engineering Institute, Pilani, 333031, India) ,  Kumar Anil (Flexible and Non-Silicon Electronics Group, CSIR- Central Electronics Engineering Institute, Pilani, 333031, India) ,  Akhtar Jamil (Flexible and Non-Silicon Electronics Group, CSIR- Central Electronics Engineering Institute, Pilani, 333031, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 120  ページ： 637-641  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 機械的に柔軟で,電気伝導性で,光学的にほぼ透明なグラフェンは,柔軟なエレクトロニクスと光起電力デバイスにおける有望な接触材料である。本研究では,シリコンウエハ上にグラフェン膜を得て,グラフェンベースのSchottky太陽電池を作製する方法を示した。原子間力顕微鏡(AFM)とRaman分光法の精査は,シリコン上の薄層グラフェンの形成を解明する。さらに,Schottky接合(グラフェン/シリコン接合)のI-V(電流-電圧)特性も研究し,提示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接点材料 ,  *キャラクタリゼーション ,  電圧 ,  接合 ,  電子技術 ,  *ケイ素 ,  電流 ,  導電性 ,  *グラフェン ,  Raman分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  *太陽電池 ,  薄膜
準シソーラス用語： Schottky接合 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  シリコン ,  太陽電池 ,  作製 ,  特性評価