水素アニーリングによるシリコン移動法を用いた最終的にスケールDRAMの信頼性限界の克服【Powered by NICT】

文献

J-GLOBAL ID：201802233440839510 整理番号：18A0446797

Overcoming the reliability limitation in the ultimately scaled DRAM using silicon migration technique by hydrogen annealing

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著者 (10件)：

Ryu Seong-Wan

Ryu Seong-Wan について

(R & D Division, SK Hynix Semiconductor Inc., San 136-1 Ami-ri, Bubal-eub, Ichon-si, Kyoungki-do, 467-701, Korea)