文献

J-GLOBAL ID：201802233507311515   整理番号：18A1622528

トンネルFET用の新しい2D材料 ab initio研究【JST・京大機械翻訳】

Novel 2-D Materials for Tunneling FETs: an Ab-initio Study

著者 (6件)： Klinkert C. (ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland) ,  Szabo A. (ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland) ,  Campi D. (Theory and Simulation of Materials, EPF Lausanne, Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Stieger C. (ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland) ,  Marzari N. (Theory and Simulation of Materials, EPF Lausanne, Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Luisier M. (ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた静電制御が,急峻なサブ閾値スイング(SS)と高いON電流(I_ON)[1]を持つバンド間トンネリング電界効果トランジスタ(TFET)を構築するための最も重要な成分の一つとして同定された。これらの本質的な特徴は,超薄体構造の厚さまたはナノワイヤの直径を減少させることによって得ることができる。二次元材料,特にそれらの単層(SL)構成は,それらの固有のサブ-1nm厚さのために,従来の半導体に対する有望な代替案を表している。実際に,Ge層と結合した原子的に薄いMoS_2チャネルを実現するTFETは,最近,数桁にわたり60mV/dec SS以下,十分のI_ON[2]を示すことが示された。しかし,この実験において,MoS_2は望ましい目標を達成するためにGeによってグループ化されなければならず,したがって,2-D材料だけが高性能TFETのための適切なプラットフォームを提供することができるかどうかの問題を提起した。経験的強束縛モデルに基づく種々の理論的研究とSL遷移金属ジカルコゲニド(TMD)[3]とブラックリン[4]に焦点を合わせて,これらの化合物が供給電圧V_DD=0.5Vとオフ電流I_OFF=1nA/μmで100μA/μm以上のON電流を供給できると結論した。ここでは,ab initio量子輸送シミュレータを用いることにより,通常のTMDのどれも,最近発見された2-D材料[5]とは反対に,I_ON>>10μA/μmに達し,将来の高効率TFETの道を開くことを実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  FET【トランジスタ】 ,  半導体 ,  ナノワイヤ ,  シミュレータ ,  単一層 ,  *二次元 ,  電流
準シソーラス用語： 高効率 ,  量子輸送 ,  オフ電流 ,  供給電圧 ,  強束縛モデル ,  サブ閾値スイング ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネルFET ,  2D ,  研究