文献

J-GLOBAL ID：201802233851221499   整理番号：18A0860709

オフ状態ドレインバイアスTDDBの物理的機構研究とその進歩したHK/MG FinFETにおける意味【JST・京大機械翻訳】

The physical mechanism investigation of off-state drain bias TDDB and its implication in advance HK/MG FinFETs

著者 (8件)： Chen I. K. (Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen S. C. (Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan) ,  Mukhopadhyay S. (Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang D. S. (Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan) ,  Lee J. H. (Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan) ,  Tsai Y. S. (Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan) ,  Lu Ryan (Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan) ,  He Jun (Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRPS  ページ： 4A.2-1-4A.2-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,オフ状態ドレインバイアス時間依存絶縁破壊(TDDB)機構の系統的研究,特に先進FinFET技術における短チャネルトランジスタについて述べた。サブ閾値漏れ電流はオフ状態ドレインバイアスTDDB劣化の決定に重要な役割を果たすことが分かった。短チャネルトランジスタは,サブ閾値漏れ電流の増加によりドレイン側近傍の高電場(E-場)を示し,従って,破壊寿命はチャネル長の減少とともにスケールすることが分かった。さらに,ソース/ドレイン近接プッシュのような付加的プロセス最適化により,サブ閾値漏れ電流は増加し,それは,実際の回路ストレス条件の間,より悪いオフ状態TDDBとより短い寿命をもたらす。また,サブ閾値電流に及ぼすボディバイアスの影響も研究した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 時間依存性 ,  *漏れ電流 ,  トランジスタ ,  電流 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： 基板バイアス ,  プロセス最適化 ,  チャネル長 ,  高電場 ,  サブ閾値 ,  短チャネル ,  *FinFET ,  *TDDB ,  *オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ポリエーテル  (YH07050T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： オフ状態 ,  ドレイン ,  バイアス ,  TDDB ,  物理 ,  研究 ,  Mg ,  FinFET ,  意味