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J-GLOBAL ID：201802233902661489   整理番号：18A0932039

ラジカルビーム照射によるその場表面改質で成長させたInNにおける貫通転位の減少

Threading dislocation reduction in InN grown with in situ surface modification by radical beam irradiation

著者 (5件)： BIN ABAS Faizulsalihin (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  FUJITA Ryoichi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  MOURI Shinichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 3  ページ： 035502.1-035502.4  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物本研究では,InNにおける貫通転位密度を減少させるために,ラジカルビーム照射法によるその場表面改質の適用性を調べた。この方法で成長させたInNの転位挙動,結晶学的品質,電気的性質,および光ルミネッセンス特性を研究した。透過型電子顕微鏡観察により,InN層の転位密度は特定の領域で3倍減少し,光ルミネッセンス分光法の結果と良く一致することを明らかにした。この技術を確立すれば,低い貫通転位密度を持つ高品質InNを,非常に簡単で再現性のある成長過程で達成できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *転位密度 ,  *照射 ,  *表面改質 ,  *窒化インジウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  化合物半導体 ,  電気伝導率 ,  *貫通転位
準シソーラス用語： *ラジカル照射 ,  *貫通転位密度

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  放射線物理一般  (BK16010L)

引用文献 (31件)：

• V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Status Solidi B 229, rl (2002).
• J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Arger, III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
• Y. Nanishi, Y. Saito, and T. Yamaguchi, J. Appl. Phys. 42, 2549 (2003).
• M. Higashiwaki, T. Inushima, and T. Matsui, Phys. Status Solidi B 240, 417 (2003).
• B. Arnaudov, T. Paskova, P. P. Paskov, B. Magnusson, E. Valcheva, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, H. Amano, and I. Akasaki, Superlattices Microstruct. 36, 563 (2004).

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面改質 ,  成長 ,  InN ,  貫通転位