BIN ABAS Faizulsalihin について
Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN について
FUJITA Ryoichi について
Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN について
MOURI Shinichiro について
Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN について
ARAKI Tsutomu について
Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN について
NANISHI Yasushi について
Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
転位密度 について
照射 について
表面改質 について
窒化インジウム について
透過型電子顕微鏡 について
光ルミネセンス について
化合物半導体 について
電気伝導率 について
貫通転位 について
ラジカル照射 について
貫通転位密度 について
半導体の格子欠陥 について
放射線物理一般 について
表面改質 について
成長 について
InN について
貫通転位 について